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シリコン基板上に窒化ガリウム(GaN-on-Si)タイプのLEDで商用レベルの発光効率135lm/W
シリコン基板使うLEDで135lm/Wを達成、「商用レベルの性能」と米社が主張[www.eetimes.jp]

 固体素子照明(SSL:Solid-state Lighting)向けの半導体技術の開発に取り組む米国のBridgeluxは、Si(シリコン)基板にGaN(窒化ガリウム)を積層して作製したLEDで、135lm/W(ルーメン/ワット)の発光効率を達成したと発表した。同社はこのLEDを「GaN-on-Si LED」と呼んでおり、「シリコン基板を使ったLEDで商用化レベルの性能を実現した初めての成果だ」と主張する。ただし、この技術を適用したLEDの実用化については、まだ2年~3年を要するとしている。
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 LED用のエピタキシャルウエハーのほとんどは、出発原料としてサファイヤまたはSiC(シリコン・カーバイド、炭化ケイ素)を使用している。しかし、口径の大きなサファイヤ基板やシリコンカーバイド基板はコストが高い上に、加工が難しい、入手性が低いという課題もあった。
 そこで、これに代わる手法としてBridgeluxは、150mm、200mm、300mmの口径で入手できる低コストのシリコンウエハー上にGaN層をエピタキシャル成長させる技術を開発した。Bridgeluxは「この手法を採用すれば、コストを75%低減できる」と主張する。
--(cut)--


照明のためのLEDで、シリコン基板上に窒化ガリウムを積層したものが、商用レベルに値する発光効率135lm/Wを達成しました。
これまでの主流のLEDは、サファイヤ基板かシリコンカーバイド基板上に窒化ガリウム層をエピタキシャル成長させることにより作成されていました。サファイヤまたはシリコンカーバイドは高コストでした。そこで、シリコン基板を用いることによりコスト削減できます。実用化は数年先のようですが、低コストなLED照明につながる成果です。すばらしい。

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研究・開発 | 【2011-03-19(Sat) 07:54:08】 | Trackback:(0) | Comments:(0)
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